太陽能電池pn結是什麽?
太陽能電池的半導體中載流子有擴散運動和漂移運動兩種運動方式。載流子在電場作用下的定向運動稱爲漂移運動.在半導體中,如果載流子濃度分布不均勻,因爲濃度差,載流子將會從濃度高的區域向濃度低的區域運動,這種運動稱爲擴散運動。將一塊半導體的一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,在兩種半導體的交界面處將形成一個特殊的薄層→PN結。


太陽能電池的pN結是采用不同的摻雜工藝,將p型半導體與N型半導體制作在同一塊矽片上,在它們的交界面就形成pN結。
擴散運動:物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動,這種由于濃度差而出現的運動稱爲擴散運動。
雜質半導體:通過擴散工藝,在本征半導體中摻入少量雜質元素,便可得到雜質半導體。
按摻入的雜質元素不用,可形成N型半導體和p型半導體;控制摻入雜質元素的濃度,就可控制雜質半導體的導電性能。
太陽能電池的N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。
由于雜質原子的最外層有五個價電子,所以除了與其周圍矽原子形成共價鍵外,還多出一個電子。多出的電子不受共價鍵的束縛,成爲自由電子。N型半導體中,自由電子的濃度大于空穴的濃度,故稱自由電子爲多數載流子,空穴爲少數載流子。由于雜質原子可以供應電子,故稱之爲施主原子。p型半導體:在純淨的矽晶體中摻入三價元素(如硼),使之取代晶格中矽原子的位置,就形成了p型半導體。
由于雜質原子的最外層有三個價電子,所以當它們與其周圍矽原子形成共價鍵時,就出現了一個“空位”,當矽原子的最外層電子填補此空位時,其共價鍵中便出現一個空穴。因而p型半導體中,空穴爲多子,自由電子爲少子。因雜質原子中的空位吸收電子,故稱之爲受主原子。
當把p型半導體和N型半導體制作在一起時,在它們的交界面,兩種載流子的濃度差很大,因而p區的空穴必然向N區擴散,與此同時,N區的自由電子也必然向p區擴散,如圖示。由于擴散到p區的自由電子與空穴複合,而擴散到N區的空穴與自由電子複合,所以在交界面附近多子的濃度下降,p區出現負離子區,N區出現正離子區,它們是不能移動的,稱爲空間電荷區,從而形成內建電場ε。
隨著擴散運動的進行,空間電荷區加寬,內建電場增強,其方向由N區指向p區,正好阻止擴散運動的進行。
漂移運動:在電場力用途下,載流子的運動稱爲漂移運動。
當空間電荷區形成後,在內建電場用途下,少子出現飄移運動,空穴從N區向p區運動,而自由電子從p區向N區運動。在無外電場和其它激發用途下,參與擴散運動的多子數目等于參與漂移運動的少子數目,從而達到動態平衡,形成pN結,如圖示。此時,空間電荷區具有一定的寬度,電位差爲ε=Uho,電流爲零。
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